汇能微电子申请基于平面MOS工艺的源极向下MOS器件及其制备方法专利工艺成本低

　　国家知识产权局信息显示，汇能微电子技术（深圳）有限公司申请一项名为“一种基于平面MOS工艺的源极向下MOS器件及其制备方法”的专利，公开号CN121099642A，申请日期为2025年9月。专利摘要显示，本发明公开了一种基于平面MOS工艺的源极向下MOS器件和制备方法，涉及半导体器件技术领域，包括半导体衬底、有源区和栅极区，有源区形成于半导体衬底的表面，栅极区位于有源区的上方；有源区内设置有漏极和源极，一侧的漏极通过正向金属电极电连接至芯片正面，正向金属电极位于栅极区内；另一侧的源极通过电极连接区与半导体衬底连通并形成良好的欧姆接触，半导体衬底的底部设置有衬底金属电极。本发明布局合理，结构紧凑，工艺成本低，相比Diodes的异质结构，减少主沟槽和场板沟槽两道掩膜步骤，避免了沟槽填充引起的应力与缺陷；集成度高，与Infineon的封装级源极底置相比，芯片内部直接实现源极互联，支持多器件堆叠设计，节省了焊盘、引线通道占用空间。

　　天眼查资料显示，汇能微电子技术（深圳）有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本611.9044万人民币。通过天眼查大数据分析，汇能微电子技术（深圳）有限公司共对外投资了2家企业，专利信息5条，此外企业还拥有行政许可8个。

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