英特尔申请具有底部源极连接的垂直传输晶体管专利将金属源极结构耦合到沟道结构

　　国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“具有带有底部源极连接的垂直传输晶体管的集成电路结构”的专利，公开号CN121241684A，申请日期为2023年10月。

　　专利摘要显示，描述了具有带有底部源极连接的垂直传输场效应晶体管（FET）的结构。在示例中，集成电路结构包括在衬底上方的沟道结构。栅极结构横向围绕沟道结构。漏极结构在栅极结构上方并且在沟道结构上。金属源极结构在衬底下方并且垂直地在沟道结构之下。导电过孔穿过衬底，导电过孔将金属源极结构耦合到沟道结构。

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