华为申请一种芯片、制备方法及电子设备专利有效降低外延形成的源极和漏极中的晶格错位缺陷

　　国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“一种芯片、制备方法及电子设备”的专利，公开号CN121057251A，申请日期为2024年5月。专利摘要显示，本申请公开了一种芯片、制备方法及电子设备，芯片包括衬底、沟道结构、设置于沟道结构两侧的源极和漏极。沟道结构包括堆叠且交替设置的栅极结构和沟道层，栅极结构包括在第一方向上依次设置的第一牺牲层、第一内侧墙、控制栅、第二内侧墙和第二牺牲层，不仅降低控制栅与源极、漏极之间的寄生电容，还可以在源极外延生长过程中接触到的沟道结构的侧壁是由沟道层和第一牺牲层交替形成的连续结构，以及在漏极外延生长过程中接触到的沟道结构的侧壁是由沟道层和第二牺牲层交替形成的连续结构，能够有效降低外延形成的源极和漏极中的晶格错位缺陷，提高器件的导电能力，提高器件的性能。

　　天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4104113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了52家企业，参与招投标项目5000次，财产线条，此外企业还拥有行政许可1597个。

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